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在現(xiàn)代電源系統(tǒng)中，MDD辰達半導體的高效率整流管（如肖特基二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管）因其低正向壓降、快速反向恢復特性，廣泛應用于適配器、開關電源、充電器、服務器電源和光伏逆變等高頻高效率場景。但在實際應...

在電源系統(tǒng)、變頻器及高頻功率變換設備中，MDD辰達半導體的超快恢復二極管憑借其反向恢復時間短、開關損耗低的特點，廣泛應用于高頻整流和續(xù)流電路。但在某些大功率應用中，為了滿足更高的電壓或電流需求，工程師往往采用器...

在高頻、高效電源設計領域，辰達半導體超快恢復二極管憑借其極短的反向恢復時間（Trr）和低反向電流損耗，成為開關電源、逆變器、功率因數(shù)校正（PFC）等場合中的重要器件。然而，工程實踐中常見因選型不當而造成的系統(tǒng)效率下降甚...

MDD辰達半導體快恢復二極管在高頻整流、PFC、逆變續(xù)流路徑中承擔快速電荷抽空任務，其功耗除正向導通損耗外，還包含反向恢復能量；熱設計稍有不足，即可能觸發(fā)漸進式熱退化甚至災難性擊穿。本文從失效癥狀入手，解析熱源構成...

在高頻電路中，二極管不僅需要具備快速導通和關斷特性，還必須在高頻開關過程中盡量減少能量損耗和電磁干擾。普通整流二極管由于反向恢復時間較長，難以滿足高頻應用需求，而快恢復二極管憑借其短反向恢復時間和較低的...

一、整流二極管的核心參數(shù)解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標稱值需滿足 IF ≥ 1.5 × I_load（負載電流），且需疊加散熱系數(shù)： 自然散熱（無風冷）：實際承載電...

一、熱管理失效：散熱設計不足引發(fā)連鎖故障 問題表現(xiàn)： 局部過熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導致結溫＞85℃（安全閾值），實測溫升可達30℃以上 。 熱應力開裂：FR...

在功率電子系統(tǒng)中，辰達的MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件，廣泛應用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統(tǒng)設計的效率與穩(wěn)定性...

一、MOSFET在DC-DC變換器中的關鍵作用 開關功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關操作將輸入直流電壓轉換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關元件，在此過程中起著至關重要的作用。MOSFET的開關頻率決定了變...