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在電子產(chǎn)品設計中，MDD辰達半導體的靜電二極管 是最常用的接口防護器件。許多工程師在選型時，往往會首先關注器件的 ESD 等級，例如標稱可承受 ±8kV 接觸放電或 ±15kV 空氣放電。似乎只要電壓等級夠高，器件就能滿足應用需...

在電子產(chǎn)品的開發(fā)過程中，靜電放電（ESD）測試往往是 EMC 測試中的重要環(huán)節(jié)之一。很多客戶反饋：樣機在實驗室中按照 IEC 61000-4-2 標準進行 ESD 測試能夠順利通過，但產(chǎn)品在實際使用場景中仍然會出現(xiàn)接口失效、芯片損壞甚至...

MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）作為電子電路中常見的電壓基準與保護元件，因其反向擊穿時能夠提供相對穩(wěn)定的電壓而被廣泛應用。然而，在實際使用過程中，穩(wěn)壓管并不是“永不失效”的器件，它也會出現(xiàn)開路、短路或參數(shù)漂移等問題...

MDD辰達半導體的穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）因其在反向擊穿區(qū)具有相對穩(wěn)定的電壓特性，被廣泛應用于電路基準源、過壓保護和小電流穩(wěn)壓場合。然而，在實際應用中，許多工程師或初學者會發(fā)現(xiàn)，穩(wěn)壓二極管在電路中的電壓并不總是...

MDD辰達半導體-瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一類專門用于吸收瞬態(tài)過電壓、保護電路中敏感元件的器件。它通過在過壓瞬間迅速擊穿導通，將能量分流至地，從而限制電壓尖峰幅度。許多工程師在使用過程中常常會問：如果系統(tǒng)多次遭...

在電子產(chǎn)品的防護設計中，MDD瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）被廣泛應用于應對靜電放電（ESD）、浪涌、電快速脈沖（EFT）等瞬態(tài)干擾。然而，許多工程師在選型過程中往往只關注某一兩個關鍵參數(shù)，而忽略了TVS在不同應用條件下的綜合特性...

在功率器件的參數(shù)表中，我們?？吹?MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指標，用于描述器件在雪崩條件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二極管 的規(guī)格書中，“雪崩耐量”并不總是顯式列出，甚至很...

MDD肖特基二極管 因其低正向壓降（VF）、無明顯反向恢復時間（trr）和高頻特性，在高效率電源領域有著不可替代的作用。隨著新能源產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，光伏發(fā)電系統(tǒng)與車載 OBC（On-board Charger，車載充電機）對功率器件提出了更高...

MDD辰達半導體的高效率整流管（如肖特基、快恢復、超快恢復以及SiC二極管）是現(xiàn)代電源系統(tǒng)中不可或缺的器件，廣泛應用于服務器電源、適配器、光伏逆變器、車載OBC等場合。整流管性能直接影響系統(tǒng)效率、溫升和穩(wěn)定性。因此，調(diào)試與...